飞荣达材料工程师在《Journal of Non-Crystalline Solids》SCI期刊发表研究文章
近期，我司材料工程师严意宏以共同第一作者身份联合发表《基于Zr基块体金属玻璃的铸造温度对可铸性和玻璃形成能力的影响》，该研究团队使用了一种简单直观的方法来量化两种SIM卡槽的可铸性和在不同铸造温度下的可铸性，研究发现，Zr55Cu30Ni5Al10（Zr55）比Zr52.5Cu25Ni9.5Al7Ti6（Zr52.5）具有更宽的最佳铸造温度区域，但在最佳铸造温度区域，Zr52.5的可铸性明显优于Zr55，因为Zr52.5的熔点较低，对铜模具的润湿性较差和较高的最佳铸造温度。这些结果有助于指导Zr基块体金属玻璃组分的生产，尤其是消费电子产品的精密部件，如智能手机框架、耳机框架、可折叠屏幕铰链、SIM卡槽等。该研究以题为“Influence of casting temperature on the castability and glass-forming ability of Zr-based bulk metallic glass”的研究文章发表于《Journal of Non-Crystalline Solids》SCI期刊上。图 1. 合金熔体在铜基板上凝固的过程示意图以及铜制水冷装置照片本研究通过电弧熔化熔炼了重量为30 g的Zr55、Zr57和Zr52.5母合金，并通过急速冷却系统将母合金加热熔化，并注入铜模具中急速冷却。在不同的铸造温度下，制备了直径为1~5mm的圆柱形棒材、两种SIM卡槽和标准片。并采用水冷式铜基板，模拟合金熔体在实际生产的水冷模具中的润湿情况，再用滴定法测量合金熔体与铜基板的接触角。图 2 . 不同铸造温度下由Zr55和Zr57合金铸造的两个SIM卡槽和标准片的外观如图2 所示，在模具的顶部，圆柱状流道逐渐过渡到肩部状流道，其宽度与下面的SIM卡槽腔相匹配。SIM卡槽1的框架比SIM卡槽2更窄。 在920℃铸造温度下使用Zr55合金制备SIM卡槽1，有明显的未填充的区域在空腔的最低处和侧面，如虚线椭圆处所示。当铸造温度提高到940℃时，侧面被填满，但最低的部分仍然没有完全填满。只有当铸造温度达到950℃或950℃以上时，空腔可以完全填充，表明在使用Zr55合金制备SIM卡槽1的临界铸造温度为950℃。使用相同合金时，SIM卡槽2也出现了类似的现象，临界铸造温度降低到910℃，是因为合金熔体在更宽的框架腔内更容易流动。很明显，SIM卡槽...
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